ㅎ | 화학증착법(化學蒸着法)-CVD

화학증착법(化學蒸着法)-CVD
chemical vapor deposition
피복하는 기판상에 원료가스를 흘리고, 외부 에너지를 부여함으로써 원료가스를 분해하여 기상반응으로 박막을 형성하는 기술.CVD란, 열, 전계, 빛 등의 외부 에너지를 사용하여 원료가스를 분해시켜 화학적 기상반응으로 기판상에 박막을 형성시키는 기술이다. 보통의 고체상, 액체상의 반응에서는 얻기 어려운 화학조성의 박막도 쉽게 작제할 수 있으며, 원료가스에 따라 임의의 박막을 얻을 수 있고, 전기적 특성, 기계적 특성 등의 기능을 기판에 부여할 수 있다. 일반적으로 CVD는 막조성의 제어가 어렵지만 대면적, 대량의 표면처리를 비교적 간단하게 할 수 있으므로 반도체와 세라믹 분야에서 실용되고 있다.CVD는 사용하는 외부 에너지에 따라 열 CVD, 플라스마 CVD, 광 CVD 등으로 분류된다. 특히 플라스마 CVD는 다른 CVD에 비하여 저온에서 성막이 가능하고 또한 대량 처리가 가능하기 때문에 근년 가장 많이 이용되고 있는 방법이다. 플라스마 CVD는 진공중에서 원료가스에 전압(직류, 고주파 등)을 인가하여 그로우방전 플라스마라고 불리는 여기분자, 원자, 이온, 라디칼, 전자가 공존하는 상태를 만들어 박막을 형성하는 방법이며, 탄화물과 질화물 등의 박막이 형성되고 있다.CVD는 반도체 프로세스에서 요청이 가장 강하고, 질화막, 산화막, PSG막 등의 층간 절연막과 표면 보호막 작제에 실용화 되고 있다. 고융점 금속 및 이들의 시리사이드 막은 CVD 기술이 향상된다. 전극 배선막에 사용되고 있는 다결정 실리콘막을 대체할 수 있을 것으로 기대 된다. CVD법은 이 밖에도 금속, 유기물질, 세라믹스 분야에서도 응용되고 있으며, 플라스마 CVD가 주류가 되고 있다. 표면개질 요청이 모든 분야에서 강력 요구되고 있으며, 플라스마 CVD법을 중심으로한 CVD법의 레벨업이 요망되고 있다.