|
62 |
황산구리염 시험
copper sulfate test
구리염을 함유한 황산산성 수용액으로 끓이는 용기 내면 등의 양극 산화 피막의 결함을 조사하는 시험(KS D 9001 참조).
|
|
61 |
활톱
hacksaw
활 모양의 본체에 일회용 톱날을 끼워 사용하는 공구의 총칭이다
|
|
60 |
활성화처리(活性化處理)
activation
표면의 화학적인 반응성을 높이는 것을 목적으로 하는 처리.
|
|
59 |
활성 층(活性 層)
active layer
양극산화 시 막의 용해 능력이 없는 전해질에 의하던지, 또는 용해 능력이 있는 전해질이라도 다공질 층 바닥에 생기는 無孔性의 絶緣박층
|
|
58 |
환원제(還元劑)
reducing agent
환원제는 산화 환원 반응에서 자신은 산화되면서 상대 물질을 환원시키는 물질이다. 흔히 사용되는 환원제에는 수소, 수소화붕소나트륨, 이산화황, 탄소 등이 있다.
|
|
57 |
환경 오염의 분말
weathering bloom
환경인자(대기오염, 빛 등)에 의하여 일으키는 양극 산화 피막의 백화현상. 간단히 솔질해서 떨어지지 않는다.
|
|
56 |
확산크리프
diffusional creep
크리프 변형 기구의 하나. 공공(空孔)의 흐름(전자의 확산)에 의해서 변형하는 크리프이다. 그림과 같이 응력 σ가 움직이면 공공의 흐름에 의해서 화살표 방향으로 원자가 움직여 변형한다. 확산 크리프는 비교적 낮은 응력하에서 발생하고 고온에서는 결정립내를 경유하는 원자의 확산에 의해서 변형하는 격자확산 크리프(Nabarro-Herring 크리프라도고 한다.)가 주체로 되고, 저온에서는 결정립계를 경유하는 원자의 확산에 의한 입계 확산 크리프(Coble 크리프라고도 한다)가 지배적이다. 또, 확산 크리프에서는 응력 의존성은 적지만 결정립의 입지름 d에 커다란 영향을 받아서 크리프 속도 έ은 격자확산 크리프에서는 έ∝ d-2, 입계확산 크리프에서는 έ∝ d-3으로 된다.
|
|
55 |
확산접합(擴散接合)
diffused bonding
탄성 변형 영역 내에서 열과 압력을 가하고 그 접합면에 발생하는 원자의 확산을 이용하여 고상(固相) 상태로 접합하는 방법. 접합 후의 열응력이나 변형이 적고, 변형량이 적으며, 조직 변화에 의한 재료의 열화가 적다는 등의 특징이 있다. 서로 다른 금속끼리나 금속과 세라믹스와의 접합도 가능하다는 등 응용 범위도 넓다.
|
|
54 |
확산반사(擴散反射)
diffused reflection
물체 표면에 입사한 광속이 그 표면에서 영상을 만들지 않는 상태로 각 방향으로 반사되는 현상.
|
|
53 |
확산(擴散)
diffusion
밀도 차이나 농도 차이에 의해 물질을 이루고 있는 입자들이 농도(밀도)가 높은 쪽에서 농도(밀도)가 낮은 쪽으로 액체나 기체 속으로 분자가 퍼져 나가는 현상을 말한다.
|
|
52 |
확관(擴管)
tube expanding
원통의 단부 내경을 확대시키는 가공
|
|
51 |
화합물(化合物)
compound
2개 이상의 다른 원소들이 일정 비율로 구성된 순물질을 말하는데, 탄소와 수소의 포함여부에 따라 유기화합물과 무기화합물, 원소의 결합방식에 따라 이온화합물과 분자화합물로 나뉜다.
|
|
50 |
화학평형(化學平衡)
chemical equilibrium
물질 A가 다른 물질 A′로 변하거나 또는 복수 종류의 물질의 혼합물이 화학변화(A＋B＋… → P＋Q＋…)하는 경우에, 변화하는 물질의 양은 그러한 물질과 조건(농도, 온도, 압력 등)에 의해 결정된다. 그러한 혼합계가 어떤 조건하에서 성분의 농도(물질량)나 분압이 일정한 상태가 되었을 때 이러한 계는 평형 상태에 있다고 한다. 화학 평형은 열역학적으로는 화학 퍼텐셜로 설명된다.
|
|
49 |
화학착색법(化學着色法)
chemical colouring process
화학 피막 처리에서 여러 종류의 약품을 첨가하여 화학적으로 착색하는 방법.
|
|
48 |
화학증착법(化學蒸着法)-CVD
chemical vapor deposition
피복하는 기판상에 원료가스를 흘리고, 외부 에너지를 부여함으로써 원료가스를 분해하여 기상반응으로 박막을 형성하는 기술.CVD란, 열, 전계, 빛 등의 외부 에너지를 사용하여 원료가스를 분해시켜 화학적 기상반응으로 기판상에 박막을 형성시키는 기술이다. 보통의 고체상, 액체상의 반응에서는 얻기 어려운 화학조성의 박막도 쉽게 작제할 수 있으며, 원료가스에 따라 임의의 박막을 얻을 수 있고, 전기적 특성, 기계적 특성 등의 기능을 기판에 부여할 수 있다. 일반적으로 CVD는 막조성의 제어가 어렵지만 대면적, 대량의 표면처리를 비교적 간단하게 할 수 있으므로 반도체와 세라믹 분야에서 실용되고 있다.CVD는 사용하는 외부 에너지에 따라 열 CVD, 플라스마 CVD, 광 CVD 등으로 분류된다. 특히 플라스마 CVD는 다른 CVD에 비하여 저온에서 성막이 가능하고 또한 대량 처리가 가능하기 때문에 근년 가장 많이 이용되고 있는 방법이다. 플라스마 CVD는 진공중에서 원료가스에 전압(직류, 고주파 등)을 인가하여 그로우방전 플라스마라고 불리는 여기분자, 원자, 이온, 라디칼, 전자가 공존하는 상태를 만들어 박막을 형성하는 방법이며, 탄화물과 질화물 등의 박막이 형성되고 있다.CVD는 반도체 프로세스에서 요청이 가장 강하고, 질화막, 산화막, PSG막 등의 층간 절연막과 표면 보호막 작제에 실용화 되고 있다. 고융점 금속 및 이들의 시리사이드 막은 CVD 기술이 향상된다. 전극 배선막에 사용되고 있는 다결정 실리콘막을 대체할 수 있을 것으로 기대 된다. CVD법은 이 밖에도 금속, 유기물질, 세라믹스 분야에서도 응용되고 있으며, 플라스마 CVD가 주류가 되고 있다. 표면개질 요청이 모든 분야에서 강력 요구되고 있으며, 플라스마 CVD법을 중심으로한 CVD법의 레벨업이 요망되고 있다.
|
